晶闸管和应用电路的基础知识
作者：365bet体育投注日期：2025/04/14 浏览：
本文指出：单向晶闸管的工作原理是单向晶状体的电流从阳极流向阴极，当交替的电流越过零点时被关闭。如图所示，单向晶闸管不执行。在正半决赛中，只有在控制控制栅极的信号时，晶闸管才会转动。制作晶闸管的原则。晶闸管的电流可以从T1极流向T2极，也可以从T2极流向T1极。当交流当前越过零点时，它被关闭。只有在控制门具有触发器的正或负信号时，晶状体才会转动。在上图中，VCC和AC的一端连接在一起，这可以确保微控制器输出是触发晶闸管的低信号水平。在上面的图中，晶闸管激励在第三象限中工作。在上图中，晶闸管触发使用高级信号，并避免晶闸管触发在第四象限中工作。当运行4次骨骼时，由于双向晶闸管的内部结构，栅极远离基本电流携带区域远距离，这需要较高的TIG，IG必须这样做，直到负载开始流动为止。两者之间的延迟时间更长，导致更长的时间，要求Ig持续更长的时间。另一个缺点是它将导致携带DIT/DT的能力较低。如果控制负荷有大量的DI/DT（例如白炽灯的冷丝），则栅极可能会受到强损害。查看晶闸管BT134设备定义的P The P The P The P The P The P The P The P The P The Phistor BT134设备明确指出，操作的操作是在第四象限中，而TIG的需求越大。上图中的第一张主要用于低端产品，通常像家庭吊扇一样，第二张图片被添加到微控制器的控制中。在o中因此，上图是晶圆门的主要触发电路。 1。当使用晶闸管控制电感载荷时，通常将RC吸收电路连接如下所示，以抑制（DV/DT）C施加到设备上的量。当电感载荷（L型负载）由晶闸管开关控制时，if（DI/DT）C和（DV/DT）C超过了一定量，这是由于Converta Gate信号期间的电流延迟而导致的一定量，从而变得无法控制。 RC吸收电路参数的成本用于我们通常的运动控制场合。常用的电阻为100欧姆。电容器为0.01UF。可以根据环境和EMC效应选择控制门和T1之间连接的电阻和容量参数。 2。根据公式，RG =（VCC-VGT）/ITG（RG是栅极电阻器），电流电流和RG电阻和栅极VGT的电压是关联的。栅极触发电流TIG的设置应具有en距离。我们应该完全考虑低温下最糟糕的环境。晶闸管结的特征温度确定对低温升力的需求更大。如下图所示：门触发电流TIG的设置还应被视为栅极触发VGT电压的kadue。同样，我们应该在低温下完全考虑最宽的环境。晶闸管连接温度的特征决定了低温下对VGT的需求更大。如下图所示：考虑上述两个因素，并设置栅极的电压。当升降机流动时，通常将其设置为所需规格的1.5倍，因此需要仔细选择门电阻RG的选择。 3。遇到严重且异常的电源立即处理时，T2电压可能超过VDRM。目前，T2和T1之间的泄漏将达到一定水平，晶闸管将自发。如果加载提供了当前转发的高液，则可以在硅晶片所在的小区域中实现非常高的局部电流密度。它可能导致硅晶片燃烧。明亮的灯，电容载荷和电弧抑制保护电路可能会导致强波流动。由于超过VDRM或DVD/DT之后，晶闸管升起，因此不会完全威胁到设备的安全性。相反，随后的DIT/DT可能会造成伤害。原因需要时间在整个连接处执行和扩散，并且在正常情况下执行栅极信号时，目前允许的DIT/DT的允许数量低于允许值。如果在此过程中DIT/DT限制为较低的值，则晶闸管可以生存。为此，许多μH的非饱和（空心）电感器可以连接到加载序列。如果对ITAA的解决方案是不可接受或不切实际的，则替代方法是To添加过滤和夹紧电路，以防止尖峰脉冲到达晶闸管。使用变种器作为“软”电压夹，并连接到电源，并将电感器和电容器过滤电路添加到标准器中。 4。通常具有较高初始散布电流的常见载荷是对寒冷状态的耐药性低的白炽灯。对于这样的电阻载荷，如果供应电压的峰开始于I -ON，则DIT/DT将具有最大值。如果此量可能超过晶闸管的DIT/DT值，则最好将几分H的电感器连接到串联以限制其限制或具有负载系数的热敏电阻。应该注意的是，该电源不能用最大电流饱和。饱和时，电感器将减小，并且不会限制DIT/DT。无烷的电感器符合这种情况。一个更聪明的解决方案是使用零电压，而无需连接到任何限制当前的设备。电流从一开始就可以逐渐上升电影浪的点。注意：零电压传导只能与电阻载荷一起使用。对于电感载荷，由于电压和电流之间的相差，该方法的使用将导致“半波”或单极传导，这会饱和电感载荷，从而导致破坏性的峰值波和过度加热。 上一篇：江苏南京软件和信息信息特别基金计划贡献
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